Многообещающие результаты были получены при лечении спастической кривошеи чрескожной имплантацией двух или четырехэлектродной системы в эпидуральные пространство между С2 и С4 [Waltz, 1982]. При этом изучали реакцию больного на стимуляцию специфическими комбинациями электродов и, при нахождении наилучшей комбинации, система фиксировалась в данном положении вместе с подкожно расположенным приемником сигналов. Внешняя система состоит из антенны и приемника.
Когда антенна помещается над приемником, радиоволны превращаются в высокочастотные электрические импульсы (1000—1400 Гц), которые в свою очередь передаются на электроды, прикрепленные к шее. Из 26 больных, которым проводилось это лечение, у одной трети отмечалось значительное, а еще у одной трети — умеренное улучшение состояния. Самое частое осложнение заключается в том, что ломаются электроды, а в некоторых случаях во время вживления электродов может вноситься инфекция.
Данный метод применялся также для лечения детского церебрального паралича, спастичности, генерализованной торсионной дистонии и случаев эпилепсии, резистентной к проводимой терапии, а механизм его действия может быть либо прямым, за счет нейромодуляции ретикулярной формации, либо опосредованным — за счет высвобождения нейромедиаторов в данной области.
«Тики», А.Дж.Лис